该3D闪存解决方案采用Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，NAND接口速度达到4.8Gb/s，比第八代产品提升33%。
此外该方案还具备功耗低（PI-LTT技术降低数据输入/输出功耗，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%）、密度高（332层堆叠和优化平面布局，位密度提升59%）等优点。
4.8 Gb/s、332层堆叠！铠侠携手闪迪革新3D闪存技术，性能功耗双突破
铠侠和闪迪还展望第九代和第十代3D闪存产品，第九代产品利用CBA技术融合现有存储单元技术和新CMOS技术，实现高性价比。第十代产品将进一步提升容量、速度和功耗表现，满足未来数据中心和AI应用需求。
CBA技术是指结合CMOS创新与成熟的存储单元设计，打造兼具高性能、低功耗和经济性的解决方案。